|
 каталог часть 1
каталог часть 2
каталог часть 3
|
Основанная в 1983 году компания IXYS является одним из крупнейших разработчиков и производителей си-ловых
полупроводников и модулей, предлагая проукцию на рынки пре-образовательной техники и приводов.
Головная компания расположена в Кремниевой долине, Калифорния.В апреле 1989 года IXYS приобрела сектор полупроводников известной компании ABB в Lampertheim,
Германия (ныне IXYS Semiconductor GmbH). Это подразделение IXYS имеет более 25 лет опыта
работы на рынке силовой электроники - тиристорных и выпрямительных модулей и дискретных
приборов.В 1994 году IXYS Semiconductor GmbH прошла сертификацию производства по ISO-9001.
Объединение двух полупроводниковых подраз-делений позволило IXYS охватить глобальный рынок
с возможностью разработки, производства, продаж и маркетинга продукции, включая MOSFET,
IGBT транзисторы, выпря-мители, тиристоры и DCB-керамику. В сентябре 1998 года,
IXYS приобрела компанию Paradigm Technology, Inc., производителя высокоскоростной памяти ОЗУ. Комбинация опыта разработки цифровых интегральных схем и силовых
полупроводниковпозволит создать новое поколение цифровых схем управления силовой
электроники. В мае 2000 года IXYS приобрела Directed Energy Inc., производящей широкий
диапазон продуктов мощных ВЧ MOSFET транзисторов, драйверов для лазерных диодов
высокой мощности и высо-ковольтных импульсных генераторов. Многие направления,
обслуживаемые этим подразделением, включ-ют генерацию ВЧ-полей для обра-ботки материалов,
спектрометрии, лазерные приложения. Эта комбинация ресурсов значительно ускорит проникновение
IXYS в новые быстро растущие сегменты промышленных и телекоммуникационных рынков.
Продукция MOSFET (серий HiPerFET, Standard, BIMOSFET, COOLMOS, MOSFET-модули,
RF Power MOSFET) с предельными параметрами до 1100 В, 690 А. IGBT-транзисторы (серий S, D (NPT тип),
G (HiPerFAST, с временем вы-ключения 100 нс при токе 60 А)). IGBT-модули: полумостовая схема, чопперы,
трехфазные инверторы, с предельными параметрами до 1600 В, 1100 А.
Выпрямители. Дискретные тиристоры Диодно-тиристорные модули с предельными параметрами до 2200 В, 600 А.
Выпрямительные мосты с пре-дельными параметрами до 1800 В, 248 А; трехфазные, в том числе с прерывателями;
высоковольтные — до 24 кВ Схемы управления переменным током (до 1800 В, 900 А, в том числе с изолированным водным охлаждением).
Защитные диоды. Схемы драйверов и контроллеров. Высоковольтные токовые ключи (450 В, ...100 мА; 900 В, 10 мА выключаемый).
Кристаллы (IGBT, MOSFET-тран-зисторов, биполярных диодов и тиристоров, керамические осно-вания, DCB-керамика).
|
|
|
