Контакты

Силовые приборы
Аналоги замены диодов тиристоров
Справочник
Продукция SEMIKRON
Продукция MITSUBISHI ELECTRIC
Продукция FUJI ELECTRIC
Продукция IXYS
Продукция Infineon / Eupec
Силовые выпрямительные диоды автотракторные
Силовые выпрямительные диоды
Силовые лавинные диоды
Силовые частотные диоды
Силовые частотные лавинные диоды
Силовые сверхмощные диоды
Силовые низкочастотные тиристоры
Высокочастотные тиристоры
Запираемые тиристоры
Оптронные тиристоры
Симметричные тиристоры
Быстродействующие тиристоры
Частотно-импульсные тиристоры
Лавинные тиристоры
Сверхмощные тиристоры
Дискретные тиристоры и триаки
Низкочастотные модули (МДД, МТТ, МДТ, МТД)
Оптотиристорные модули (МТО, МТОТО)
Тиристорные и тиристорно-диодные быстродействующие модули (МТБТБ, МДЧТБ, МТБДЧ)
Диодные быстровосстанавливающиеся модули (МДЧДЧ) Сводная таблици силовых приборов


 

toshiba модуль модули modul Catalog продажа в Минске Беларусь  datasheet pdf Техническая  документация описание фото рис. маркировка габариты размер параметры применение

Toshiba America Electronic Compo-nents, Inc. (TAEC) — подразделение одного из крупнейших мировых производителей электронных ком-понентов и систем — разрабатываети производит большое количество силовых полупроводников. TAEC — независимо работающая ком-пания в составе Toshiba America, Inc., входящей в состав корпорации Toshiba Corporation, второй в мире по объемам продаж полупроводни-ков (по данным 2001 года, Gartner/Dataquest).Toshiba — мировой лидер высо-котехнологичной продукции с более чем 300 крупными подразделениями по всему миру.

Продукция
Линия силовых приборов компа-нии включает:I GB T- м о д у л и и д и с к р е т н ы е транзисторы: третье поколение IGBT-транзисторов на 600 В; дискретные IGBT-транзисторы; IGBT-модули серии IGBT Plus на 1200 В, выполненные по тех-нологии NPT (Non Punch Thru); IGBT-модули на 1700 В; улуч-шенное второе поколение IGBT транзисторов на 1200 В с высокой скоростью переключения; чоппе-ры на 600...1200 В; транзисторно-диодные модули со встроенным FRD-диодом (Co-Pack IGBT); IGBT-модули прижимного типа; IGBT-модули в корпусах типа SIP — высокоскоростные и с малым напряжением насыщения. Интегрированные IGBT модули (IPM/PIM): интеллектуальные мо-дули на 600 и 1200 В; интеллекту-альные модули серии Compact на 600 и 1200 В. Диоды и тиристоры, в том числе тиристоры,
запираемые по затво-ру (GTO). Мощные MOSFET-транзисторы.
TOSHIBA КАТАЛОГ IGBT  документация IGBT документация