| BSM25GP120 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затворо |
| BSM200GB120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL |  Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| BSM50GP120 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затворо |
| 1N4148,143 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin ALF |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0 |
| FSBS10CH60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWER |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затво |
| BSM50GD120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| FSAM30SM60A Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A/ SPM2 |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затв |
| FZ600R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLE |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затвор |
| BSM10GP120 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затворо |
| IRGS4B60KD1TRLP International Rectifier Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | International Rectifier | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A |  Модули биполярных транзисторов с изолированным |
