ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
НаименованиеПроизводительТехнические характеристики описание Фото
1N4448,133 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)NXP SemiconductorsДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin ALF1N4448,133 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0.2A
SPV1002D40TR STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)STMicroelectronicsДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) Cool bypass switch for photovoltaic appSPV1002D40TR STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Cool bypass switch for p
1N4531,133 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)NXP SemiconductorsДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Fast Recovery Rectif 75V 0.2A 2Pin1N4531,133 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Fast Recovery Rectif
BAS16WT1G ON Semiconductor Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)ON SemiconductorДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) 75V 200mABAS16WT1G ON Semiconductor Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 75V 200mA
RS3B-E3/57T Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)Vishay SemiconductorsДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) 3.0 Amp 100V 150nsRS3B-E3/57T Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 3.0 Amp 100V 150ns
DA4X101F0R Panasonic Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)Panasonic SemiconductorsДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH DIODE GL WNG 2.9x2.8mmDA4X101F0R Panasonic Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH DIODE GL WNG
FNA41060B2 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power Module Motion-SPMFNA41060B2 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FSB50550UTD Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power ModuleFSB50550UTD Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FNB41560B2 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power Module Motion-SPMFNB41560B2 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
BSM100GB120DLCK Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALBSM100GB120DLCK Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным за
Показано с 211 по 220 из 42179 наименований
Страницы: < предыдущая следующая >

... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 ... 4218