1N4448,133 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin ALF | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0.2A |
SPV1002D40TR STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | STMicroelectronics | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Cool bypass switch for photovoltaic app | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Cool bypass switch for p |
1N4531,133 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Fast Recovery Rectif 75V 0.2A 2Pin | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Fast Recovery Rectif |
BAS16WT1G ON Semiconductor Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | ON Semiconductor | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 75V 200mA | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 75V 200mA |
RS3B-E3/57T Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 3.0 Amp 100V 150ns | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 3.0 Amp 100V 150ns |
DA4X101F0R Panasonic Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Panasonic Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH DIODE GL WNG 2.9x2.8mm | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH DIODE GL WNG |
FNA41060B2 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power Module Motion-SPM | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
FSB50550UTD Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power Module | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
FNB41560B2 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power Module Motion-SPM | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
BSM100GB120DLCK Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Модули биполярных транзисторов с изолированным за |