ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
Показано с 221 по 240 из 42179 записей
Наименование Производитель Описание Фото
BSM25GP120 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIMИзображение
BSM200GB120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALИзображение
BSM50GP120 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIMИзображение
1N4148,143 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)NXP SemiconductorsДиоды (общего назначения, силовые, импульсные) Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin ALFИзображение
FSBS10CH60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWERИзображение
BSM50GD120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGEИзображение
FSAM30SM60A Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A/ SPM2Изображение
FZ600R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLEИзображение
BSM10GP120 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIMИзображение
IRGS4B60KD1TRLP International Rectifier Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)International RectifierМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10AИзображение
BSM75GB60DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DUALИзображение
BSM200GB60DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUALИзображение
FSBF15CH60BT Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Smart Power ModuleИзображение
FS50R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASEИзображение
BSM100GD120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGEИзображение
BSM100GB120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALИзображение
BSM50GD120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASEИзображение
BSM100GAL120DLCK Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPERИзображение
FP50R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIMИзображение
BSM25GD120DN2E3224 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35AИзображение
« Назад 10 11 12 13 14 Вперед »